Module IGBT Non Infineon, 450 A, 1200 V 2

Ce module IGBT est un dispositif semi-conducteur de puissance conçu pour commuter et contrôler les circuits c. c. haute tension dans les systèmes d'alimentation industriels. Il combine deux transistors dans un seul boîtier pour gérer des charges de courant élevées et fonctionne sur une large plage de températures adaptée aux environnements thermiques exigeants.

• Capacité de blocage de 1 200 V pour les applications de commutation haute tension
• Courant de collecteur continu de 450 A pour supporter des exigences de courant élevées
• Dissipation de puissance maximale de 1 600 W pour un fonctionnement durable à haute puissance
• Vce(sat) faible de 2,15 V pour des pertes de conduction réduites
• Valeur nominale maximale de l'émetteur de grille de 20 V pour définir des limites d'entraînement sûres
• Fonctionne jusqu'à 175 °C pour les installations à température élevée

• Convient aux systèmes d'entraînement de moteur haute tension
• Idéal pour les onduleurs industriels nécessitant un courant élevé
• Peut être utilisé pour les étapes de convertisseur d'énergie renouvelable
• Utilisé avec les alimentations nécessitant des transistors doubles compacts
• Applicable dans les environnements de traction ou d'électronique de puissance utilitaire

Il contient deux transistors correspondants dans un seul module permettant des arrangements de commutation synchrones ou complémentaires.

Il est conçu pour fonctionner jusqu'à -40 °C et jusqu'à 175 °C pour fonctionner dans de larges plages de températures.

La limite de l'émetteur de grille de 20 V définit la tension maximale admissible de l'entraînement de grille et détermine la protection de l'entraînement de grille requise et la conception à changement de niveau.

Les concepteurs doivent tenir compte d'une limite de blocage collecteur-émetteur de 1 200 V et d'un plafond de dissipation de boîtier de 1 600 W lors de la planification de la gestion thermique.