IGBT IXYSCanal-Type N, 3 broches, ISOPLUS247

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Code commande RS:
168-4768
Référence fabricant:
IXA27IF1200HJ
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

IGBT

Type de Boitier

ISOPLUS247

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

125°C

Pays d'origine :
US

IGBT Discretes, IXYS série XPT


La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.

Forte densité de puissance et faible Vce(sat)

RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale

Capacité de court-circuit pendant 10 μs

Coefficient de température positive en tension à l'état passant

Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option

Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires

IGBT Discretes et modules, IXYS


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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