Module IGBT, MIXA225PF1200TSF, , 360 A, 1200 V, SimBus F, 11 broches, Série
- Code commande RS:
- 168-4565
- Référence fabricant:
- MIXA225PF1200TSF
- Marque:
- IXYS
Sous-total (1 boîte de 3 unités)*
381,621 €
HT
457,944 €
TTC
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Unité | Prix par unité | La Boite* |
|---|---|---|
| 3 + | 127,207 € | 381,62 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-4565
- Référence fabricant:
- MIXA225PF1200TSF
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 360 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±30V | |
| Dissipation de puissance maximum | 1100 W | |
| Configuration | Double | |
| Type de boîtier | SimBus F | |
| Type de montage | Montage sur CI | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 11 | |
| Configuration du transistor | Série | |
| Dimensions | 152 x 62 x 17mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum 360 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±30V | ||
Dissipation de puissance maximum 1100 W | ||
Configuration Double | ||
Type de boîtier SimBus F | ||
Type de montage Montage sur CI | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 11 | ||
Configuration du transistor Série | ||
Dimensions 152 x 62 x 17mm | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
- Pays d'origine :
- DE
Modules IGBT, IXYS
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.