Module IGBT Non IXYSCanal-Type N, 360 A, 1200 V, 11 broches, SimBus F Montage sur circuit imprimé 2

Voir l’ensemble des IGBT

Sous-total (1 boîte de 3 unités)*

381,621 €

HT

457,944 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 17 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
La Boite*
3 +127,207 €381,62 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
168-4565
Référence fabricant:
MIXA225PF1200TSF
Marque:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Courant continu de Collecteur maximum lc

360A

Type de produit

Module IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

1100W

Nombre de transistors

2

Type de Boitier

SimBus F

Type de montage

Montage sur circuit imprimé

Type de canal

Type N

Nombre de broches

11

Température minimum de fonctionnement

150°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.8V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±30 V

Température d'utilisation maximum

-40°C

Série

MIXA225PF1200TSF

Normes/homologations

No

Hauteur

17mm

Longueur

152mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE

Modules IGBT, IXYS


IGBT Discretes et modules, IXYS


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté