Module IGBT Non InfineonCanal-Type N, 225 A, 1200 V 1 MHz, 7 broches, Module 62MM Serre-joints
- Code commande RS:
- 124-8783
- Référence fabricant:
- FF150R12KE3GB2HOSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 124-8783
- Référence fabricant:
- FF150R12KE3GB2HOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 225A | |
| Type de produit | Module IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 1200V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 780W | |
| Type de Boitier | Module 62MM | |
| Type de montage | Serre-joints | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 125°C | |
| Hauteur | 29mm | |
| Longueur | 106.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 225A | ||
Type de produit Module IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1200V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 780W | ||
Type de Boitier Module 62MM | ||
Type de montage Serre-joints | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 7 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 125°C | ||
Hauteur 29mm | ||
Longueur 106.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Modules IGBT, Infineon
La gamme de modules IGBT Infineon se caractérise par une faible perte de commutation pour la commutation jusqu'à des fréquences de 60 kHz.
Les IGBT s'étendent sur une gamme de modules d'alimentation tels que les boîtiers ECONOPACK avec émetteur collecteur à 1 200 V, modules Chopper IGBT demi-pont PrimePACK avec NTC jusqu'à 1 600 / 1 700V. Les IGBT PrimePACK peuvent se trouver dans les véhicules industriels, commerciaux, de construction et agricoles. Le canal NTM TRENCHSTOP et les modules IGBT Fieldstop sont adaptés aux applications de commutation immédiate et de commutation progressive telles que les inverseurs, les onduleurs et les variateurs industriels.
Les styles de boîtier incluent : modules 62 mm, EasyPack ECONOPACKTM2/ECONOPACKTM3/ECONOPACKTM4
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
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