IGBT Infineon, canal N, 30 A, 1200 V, 3 broches , TO-247, montage Traversant

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Unité
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le tube*
30 - 302,10 €63,00 €
60 - 1201,995 €59,85 €
150 - 2701,911 €57,33 €
300 - 5701,827 €54,81 €
600 +1,701 €51,03 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
145-9167
Référence fabricant:
IGW15N120H3FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

30A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1200V

Dissipation de puissance maximum Pd

217W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2.05V

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

TrenchStop

Normes/homologations

Pb-Free, RoHS, JEDEC

Standard automobile

Non

Energie

2.5mJ

Pays d'origine :
MY

Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V


Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.

• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V

• VCEsat très faible

• Pertes de mise hors tension faibles

• Courant d'extrémité court

• IEM faible

• Température de jonction maximale 175 °C

IGBT Discretes et modules, Infineon


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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