IGBT, IGW75N60H3FKSA1, , 75 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 145-9177
- Référence fabricant:
- IGW75N60H3FKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
114,33 €
HT
137,19 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,811 € | 114,33 € |
| 60 - 120 | 3,468 € | 104,04 € |
| 150 + | 3,381 € | 101,43 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 145-9177
- Référence fabricant:
- IGW75N60H3FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 75 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 428 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Capacité de grille | 4620pF | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Indice énergétique | 6.2mJ | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 75 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 428 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Capacité de grille 4620pF | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Indice énergétique 6.2mJ | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
• Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 600 à 650 V
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
• VCEsat très faible
• Pertes de mise hors tension faibles
• Courant d'extrémité court
• IEM faible
• Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.