IGBT, IKW75N60TFKSA1, , 80 A, 600 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 911-4789
- Référence fabricant:
- IKW75N60TFKSA1
- Marque:
- Infineon
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Sous-total (1 tube de 30 unités)*
185,43 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 6,181 € | 185,43 € |
| 60 - 120 | 5,933 € | 177,99 € |
| 150 + | 5,748 € | 172,44 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 911-4789
- Référence fabricant:
- IKW75N60TFKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 80 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 428 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 16.03 x 21.1 x 5.16mm | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 80 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 428 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 16.03 x 21.1 x 5.16mm | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
- Pays d'origine :
- GB
Infineon IGBT, courant de collecteur continu maximal de 80A, tension d'émetteur de collecteur maximale de 600V - IKW75N60TFKSA1
Cet IGBT est un composant semi-conducteur de haute performance conçu pour les applications d'électronique de puissance. Avec un courant de collecteur continu maximum de 80A, il fonctionne efficacement dans des environnements à haute tension, évalués à 600V. Le dispositif est conditionné dans un format TO-247, idéal pour le montage à travers un trou.
Caractéristiques et avantages
• La faible tension de saturation collecteur-émetteur améliore l'efficacité
• La vitesse de commutation élevée réduit la perte d'énergie pendant le fonctionnement
• Le coefficient de température positif garantit des performances stables
• Compatible avec une large gamme de températures allant de -40°C à +175°C
• La vitesse de commutation élevée réduit la perte d'énergie pendant le fonctionnement
• Le coefficient de température positif garantit des performances stables
• Compatible avec une large gamme de températures allant de -40°C à +175°C
Applications
• Convient pour une utilisation dans les convertisseurs de fréquence en milieu industriel
• Idéal pour les systèmes d'alimentation sans interruption
• Utilisé dans la commande de moteur pour l'automatisation
• Efficace pour les systèmes d'énergie renouvelable afin de garantir l'efficacité
• Idéal pour les systèmes d'alimentation sans interruption
• Utilisé dans la commande de moteur pour l'automatisation
• Efficace pour les systèmes d'énergie renouvelable afin de garantir l'efficacité
Quelles sont les implications de la durée de résistance aux courts-circuits pour mon application ?
Le temps de résistance aux courts-circuits de 5μs permet une protection fiable dans les applications susceptibles de rencontrer des conditions de défaut, garantissant que le dispositif peut supporter de brèves situations de surintensité sans défaillance immédiate.
Quel est l'impact de la vitesse de commutation élevée sur l'efficacité du système ?
Une vitesse de commutation élevée de 20 kHz minimise les pertes d'énergie pendant les transitions, ce qui améliore considérablement l'efficacité et les performances globales du système, en particulier dans les applications à réponse rapide.
Quels sont les aspects de la gestion thermique à prendre en compte pour obtenir des performances optimales ?
Les valeurs de résistance thermique indiquent la dissipation effective de la chaleur entre la jonction et le boîtier
la gestion des températures de jonction dans les limites spécifiées est cruciale pour maintenir un fonctionnement fiable et prolonger la durée de vie des composants.
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.