Références fabricant

IGBT Infineon, canal N, 30 A, 650 V, 3 broches , TO-220, montage Traversant

Code commande RS:: 145-9180
Référence fabricant:: IKP15N65F5XKSA1
Marque:: Infineon

IGBT Infineon, canal N, 30 A, 650 V, 3 broches , TO-220, montage Traversant

Actuellement indisponible

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Code commande RS:: 145-9180
Référence fabricant:: IKP15N65F5XKSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum lc	30A
	Type de produit	IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	650V
	Dissipation de puissance maximum Pd	105W
	Type de Boitier	TO-220
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	N
	Nombre de broches	3
	Température minimum de fonctionnemen	-40°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	2.1V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS
	Hauteur	4.57mm
	Série	TrenchStop
	Longueur	10.36mm
	Largeur	15.95mm
	Energie	0.17mJ
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Courant continu de Collecteur maximum lc 30A
	Type de produit IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V
	Dissipation de puissance maximum Pd 105W
	Type de Boitier TO-220
	Type de montage Traversant
	Type de canal N
	Nombre de broches 3
	Température minimum de fonctionnemen -40°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.1V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS
	Hauteur 4.57mm
	Série TrenchStop
	Longueur 10.36mm
	Largeur 15.95mm
	Energie 0.17mJ
	Standard automobile Non

IKP15N65F5 High speed 5 Fast IGBT with fast and soft Diode

Pays d'origine :: MY

Transistors IGBT Infineon TrenchStop, 600 et 650 V

Une gamme de transistors IGBT d'Infineon, avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 600 et 650 V avec la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.

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• VCEsat très faible

• Pertes de mise hors tension faibles

• Courant d'extrémité court

• IEM faible

• Température de jonction maximale 175 °C

IGBT Discretes et modules, Infineon

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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