IGBT, IXYH30N170C, , 100 A, 1700 V, TO247AD, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 146-4404
- Référence fabricant:
- IXYH30N170C
- Marque:
- IXYS
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|---|---|
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| 5 - 9 | 19,60 € |
| 10 + | 18,88 € |
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- Code commande RS:
- 146-4404
- Référence fabricant:
- IXYH30N170C
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 100 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1700 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20 V, ±30V | |
| Dissipation de puissance maximum | 937 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | TO247AD | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 16.13 x 5.21 x 21.34mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Courant continu de Collecteur maximum 100 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1700 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20 V, ±30V | ||
Dissipation de puissance maximum 937 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier TO247AD | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 16.13 x 5.21 x 21.34mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
Les IGBT IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) avec des intensités nominales de 29 à 178 A sont parfaitement adaptés pour les applications de conversion de puissance à tension et vitesse élevées. Conçus avec la technologie propriétaire XPT à couche mince et un procédé IGBT de pointe, ces dispositifs offrent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une faible perte d'énergie, et une capacité de commutation haute vitesse. En outre, grâce au coefficient de température positif de leur tension à l'état passant, les nouveaux IGBT haute tension peuvent être utilisés en parallèle, pour fournir des solutions économiques par rapport aux dispositifs basse tension connectés en série.
Technologie XPT à couche fine
Faibles tensions à l'état passant VCE(sat)
Diodes à récupération rapide emballées avec le dispositif
Coefficient de température positif du VCE(sat)
Haut rendement
Plus grande fiabilité des systèmes d'alimentation
Applications
Circuits de générateur d'impulsions
Générateurs de laser et de rayons X
Alimentations haute tension
Equipement de test haute tension
Circuits de décharge de condensateur
Commutateurs c.a.
Faibles tensions à l'état passant VCE(sat)
Diodes à récupération rapide emballées avec le dispositif
Coefficient de température positif du VCE(sat)
Haut rendement
Plus grande fiabilité des systèmes d'alimentation
Applications
Circuits de générateur d'impulsions
Générateurs de laser et de rayons X
Alimentations haute tension
Equipement de test haute tension
Circuits de décharge de condensateur
Commutateurs c.a.