IGBT, STGD5NB120SZT4, , 10 A, 1200 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 165-5304
- Référence fabricant:
- STGD5NB120SZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
2 337,50 €
HT
2 805,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,935 € | 2 337,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-5304
- Référence fabricant:
- STGD5NB120SZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 10 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 75 W | |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Capacité de grille | 430pF | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Indice énergétique | 12.68mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 10 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 75 W | ||
Type de boîtier DPAK (TO-252) | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Capacité de grille 430pF | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Indice énergétique 12.68mJ | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.