IGBT STMicroelectronics, canal N, 5 A, 1.2 kV, 690 ns, 3 broches , TO-252, montage En surface

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Code commande RS:
877-2879
Référence fabricant:
STGD5NB120SZT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

5A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1.2kV

Dissipation de puissance maximum Pd

75W

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

690ns

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±20 V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

2.2mm

Largeur

6.4mm

Série

H

Normes/homologations

JEDEC JESD97, ECOPACK

Longueur

6.2mm

Standard automobile

Non

Energie

12.68mJ

Pays d'origine :
CN

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics


IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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