IGBT, STGD18N40LZT4, , 30 A, 420 V, DPAK (TO-252), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 165-6607
- Référence fabricant:
- STGD18N40LZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
2 602,50 €
HT
3 122,50 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,041 € | 2 602,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 165-6607
- Référence fabricant:
- STGD18N40LZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 30 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 420 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 16V | |
| Dissipation de puissance maximum | 125 W | |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 6.6 x 6.2 x 2.4mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 30 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 420 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 16V | ||
Dissipation de puissance maximum 125 W | ||
Type de boîtier DPAK (TO-252) | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 6.6 x 6.2 x 2.4mm | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.