IGBT AEC-Q101 STMicroelectronicsCanal-Type N, 30 A, 390 V 1 MHz, 3 broches, TO-252 Surface

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Code commande RS:
165-6607
Référence fabricant:
STGD18N40LZT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

30A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

390V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.7V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

16 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

STGD18N40LZ

Normes/homologations

AEC Q101

Longueur

6.6mm

Hauteur

2.4mm

Largeur

6.2 mm

Energie

180mJ

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics


IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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