Références fabricant

IGBT AEC-Q101 STMicroelectronicsCanal-Type N, 30 A, 390 V 1 MHz, 3 broches, TO-252 Surface

Code commande RS:: 795-9019
Référence fabricant:: STGD18N40LZT4
Marque:: STMicroelectronics

IGBT AEC-Q101 STMicroelectronicsCanal-Type N, 30 A, 390 V 1 MHz, 3 broches, TO-252 Surface

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25 - 45	1,742 €	8,71 €
50 - 120	1,568 €	7,84 €
125 - 245	1,408 €	7,04 €
250 +	1,34 €	6,70 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 795-9019
Référence fabricant:: STGD18N40LZT4
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Courant continu de Collecteur maximum lc	30A
	Type de produit	IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	390V
	Dissipation de puissance maximum Pd	150W
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	Surface
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	1MHz
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	16 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.7V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Longueur	6.6mm
	Hauteur	2.4mm
	Série	STGD18N40LZ
	Normes/homologations	AEC Q101
	Energie	180mJ
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Courant continu de Collecteur maximum lc 30A
	Type de produit IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 390V
	Dissipation de puissance maximum Pd 150W
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage Surface
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 1MHz
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 16 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.7V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Longueur 6.6mm
	Hauteur 2.4mm
	Série STGD18N40LZ
	Normes/homologations AEC Q101
	Energie 180mJ
	Standard automobile AEC-Q101

STGB18N40LZ, STGD18N40LZ, STGP18N40LZ, EAS 180mJ - 390V - Internally Clamped IGBT Data Sheet

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics

IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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