IGBT STMicroelectronics, canal N, 30 A, 420 V, 1 MHz, 3 broches , TO-263, montage En surface

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Code commande RS:
168-7861
Référence fabricant:
STGB18N40LZT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum lc

30A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

420V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

16 V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.7V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

9.35mm

Longueur

10.4mm

Série

Automotive Grade

Hauteur

4.6mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics


IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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