IGBT, STGB30H65DFB2, , 50 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 3 broches
- Code commande RS:
- 204-9868
- Référence fabricant:
- STGB30H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
12,18 €
HT
14,615 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 04 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,436 € | 12,18 € |
| 50 - 95 | 2,284 € | 11,42 € |
| 100 - 245 | 1,828 € | 9,14 € |
| 250 - 495 | 1,524 € | 7,62 € |
| 500 + | 1,342 € | 6,71 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 204-9868
- Référence fabricant:
- STGB30H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 50 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 167 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 50 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 167 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier D2PAK (TO-263) | ||
Nombre de broches 3 | ||
- Pays d'origine :
- CN
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée