IGBT, STGWA30H65DFB2, , 50 A, 650 V, A-247, 3 broches
- Code commande RS:
- 204-9877
- Référence fabricant:
- STGWA30H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
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Ajouté
Prix pour l'unité (en tube de 30)
2,042 €
HT
2,45 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 30 - 90 | 2,042 € | 61,26 € |
| 120 - 270 | 1,732 € | 51,96 € |
| 300 - 570 | 1,687 € | 50,61 € |
| 600 - 1170 | 1,643 € | 49,29 € |
| 1200 + | 1,602 € | 48,06 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 204-9877
- Référence fabricant:
- STGWA30H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 50 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 167 W |
| Nombre de transistors | 1 |
| Type de boîtier | A-247 |
| Nombre de broches | 3 |
- Code commande RS:
- 204-9877
- Référence fabricant:
- STGWA30H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics