IGBT, STGWA20H65DFB2, , 40 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple

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30 - 901,80 €54,00 €
120 - 2401,68 €50,40 €
270 - 4801,636 €49,08 €
510 - 9901,593 €47,79 €
1020 +1,554 €46,62 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
206-7209
Référence fabricant:
STGWA20H65DFB2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum

40 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

147 W

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

A-247

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Arrêt de champ de la grille de tranchée STMicroelectronics, IGBT série HB2 haute vitesse 650 V, 20 A dans un boîtier de cordons longs TO-247.

Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Coefficient de température VCE(sat) positif

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