IGBT, STGWA30IH65DF, , 60 A, 650 V, A-247, 4 broches

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30 - 303,99 €119,70 €
60 - 1203,886 €116,58 €
150 - 2703,786 €113,58 €
300 +3,691 €110,73 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
206-6065
Référence fabricant:
STGWA30IH65DF
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum

60 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum

108 W

Type de boîtier

A-247

Nombre de broches

4

La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.

Conçu pour la commutation douce uniquement
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A.
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Diode à roue libre à faible chute, co-emballée
Coefficient de température VCE(sat) positif

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