- Code commande RS:
- 206-8630
- Référence fabricant:
- STGWA30IH65DF
- Marque:
- STMicroelectronics
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3,564 €
HT
4,277 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
5 - 20 | 3,564 € | 17,82 € |
25 - 45 | 3,468 € | 17,34 € |
50 - 120 | 3,376 € | 16,88 € |
125 - 245 | 3,29 € | 16,45 € |
250 + | 3,208 € | 16,04 € |
*Prix donné à titre indicatif |
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- 206-8630
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- STGWA30IH65DF
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- STMicroelectronics
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
Conçu pour la commutation douce uniquement
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A.
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Diode à roue libre à faible chute, co-emballée
Coefficient de température VCE(sat) positif
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A.
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Diode à roue libre à faible chute, co-emballée
Coefficient de température VCE(sat) positif
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant continu de Collecteur maximum | 60 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V |
Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
Nombre de transistors | 1 |
Dissipation de puissance maximum | 108 W |
Type de boîtier | A-247 |
Nombre de broches | 4 |
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- 206-8630
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- STGWA30IH65DF
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- STMicroelectronics