IGBT, STGWA30IH65DF, , 60 A, 650 V, A-247, 4 broches
- Code commande RS:
- 206-8630
- Référence fabricant:
- STGWA30IH65DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
20,04 €
HT
24,05 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,008 € | 20,04 € |
| 25 - 45 | 3,898 € | 19,49 € |
| 50 - 120 | 3,796 € | 18,98 € |
| 125 - 245 | 3,70 € | 18,50 € |
| 250 + | 3,604 € | 18,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 206-8630
- Référence fabricant:
- STGWA30IH65DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 60 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 108 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 60 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 108 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Nombre de broches 4 | ||
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
Conçu pour la commutation douce uniquement
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A.
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Diode à roue libre à faible chute, co-emballée
Coefficient de température VCE(sat) positif
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 30 A.
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Diode à roue libre à faible chute, co-emballée
Coefficient de température VCE(sat) positif