IGBT, STGWA75H65DFB2, , 115 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple

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30 - 903,541 €106,23 €
120 - 2403,445 €103,35 €
270 - 4803,353 €100,59 €
510 - 9903,268 €98,04 €
1020 +3,187 €95,61 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
206-7211
Référence fabricant:
STGWA75H65DFB2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum

115 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum

357 W

Type de boîtier

A-247

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Arrêt de champ de la grille de tranchée STMicroelectronics, IGBT série HB2 haute vitesse 650 V, 75 A dans un boîtier de cordons longs TO-247.

Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Coefficient de température VCE(sat) positif

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