IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 115 A, 650 V 1 MHz, 3 broches, TO-247 Traversant

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Code commande RS:
206-7212
Référence fabricant:
STGWA75H65DFB2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum lc

115A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

357W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

1MHz

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

STG

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

5.1mm

Longueur

15.9mm

Standard automobile

Non

Arrêt de champ de la grille de tranchée STMicroelectronics, IGBT série HB2 haute vitesse 650 V, 75 A dans un boîtier de cordons longs TO-247.

Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.

Faible VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A.

Diode à récupération souple et très rapide

Courant de queue minimisé

Distribution de paramètres serrée

Résistance thermique faible

Coefficient de température VCE(sat) positif

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