IGBT, STGWA75H65DFB2, , 115 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 206-7212
- Référence fabricant:
- STGWA75H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,39 € | 8,78 € |
| 10 + | 3,75 € | 7,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 206-7212
- Référence fabricant:
- STGWA75H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 115 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 357 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 115 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 357 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Arrêt de champ de la grille de tranchée STMicroelectronics, IGBT série HB2 haute vitesse 650 V, 75 A dans un boîtier de cordons longs TO-247.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Coefficient de température VCE(sat) positif
Faible VCE(sat) = 1,55 V (typ.) @ IC = 75 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Coefficient de température VCE(sat) positif