IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 40 A, 650 V 1 MHz, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 202-5519
- Référence fabricant:
- STGWA40IH65DF
- Marque:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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| 10 + | 2,542 € | 12,71 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 202-5519
- Référence fabricant:
- STGWA40IH65DF
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 40A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 238W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | STG | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Largeur | 21.1 mm | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 40A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 238W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série STG | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Largeur 21.1 mm | ||
Longueur 15.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
L'IGBT série H à commutation douce de STMicroelectronics a été développé à l'aide d'une structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ à porte de tranchée, dont les performances sont optimisées en termes de pertes de conduction et de commutation pour la commutation douce.
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