IGBT, STGWA50HP65FB2, , 86 A, 650 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 204-3943
- Référence fabricant:
- STGWA50HP65FB2
- Marque:
- STMicroelectronics
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Sous-total (1 tube de 30 unités)*
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 1,74 € | 52,20 € |
| 120 - 240 | 1,444 € | 43,32 € |
| 270 - 480 | 1,406 € | 42,18 € |
| 510 - 990 | 1,369 € | 41,07 € |
| 1020 + | 1,336 € | 40,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 204-3943
- Référence fabricant:
- STGWA50HP65FB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 86 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 20V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 272 W | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 86 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 20V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 272 W | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
- Pays d'origine :
- CN
L'IGBT 650 V série HB2 de STMicroelectronics représente une évolution de la structure d'arrêt de champ propriétaire Advanced Trench Gate. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite. Une diode utilisée à des fins de protection est uniquement co-emballée en parallèle avec l'IGBT. Le résultat est un produit spécialement conçu pour maximiser l'efficacité pour une large gamme d'applications rapides.
Température de jonction maximale de 175 °C.
Diode de protection coemballée
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Coefficient de température positif
Diode de protection coemballée
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Coefficient de température positif