IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 30 A, 650 V 1 MHz, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 202-5514
- Référence fabricant:
- STGWA30HP65FB
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,224 € | 66,72 € |
| 60 + | 2,113 € | 63,39 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 202-5514
- Référence fabricant:
- STGWA30HP65FB
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 30A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 260W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 5.1mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | STG | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 30A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 260W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 5.1mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série STG | ||
Longueur 15.9mm | ||
Standard automobile Non | ||
L'IGBT STMicroelectronics série HB haut débit développé à l'aide d'une structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ à porte à tranchée. Le dispositif fait partie de la nouvelle série HB d'IGBT, qui représente un compromis optimal entre la conduction et la perte de commutation pour maximiser l'efficacité de n'importe quel convertisseur de fréquence.
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