IGBT, STGWA30H65DFB2, , 50 A, 650 V, A-247, 3 broches
- Code commande RS:
- 204-9878
- Référence fabricant:
- STGWA30H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,00 € | 10,00 € |
| 10 + | 1,704 € | 8,52 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 204-9878
- Référence fabricant:
- STGWA30H65DFB2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 50 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 167 W | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Type de boîtier | A-247 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 50 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 167 W | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Type de boîtier A-247 | ||
Nombre de broches 3 | ||
- Pays d'origine :
- CN
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.
Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée
Résistance thermique faible