IGBT, STGB30H65DFB2, , 50 A, 650 V, D2PAK (TO-263), 3 broches

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Code commande RS:
204-9867
Référence fabricant:
STGB30H65DFB2
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum

50 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

±20V

Dissipation de puissance maximum

167 W

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

D2PAK (TO-263)

Nombre de broches

3

Pays d'origine :
CN
La série STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 représente une évolution de la structure Advanced propriétaire d'arrêt de champ de la porte à tranchée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à de faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite.

Température de jonction maximale : TJ = 175 °C.
Faible VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Diode à récupération souple et très rapide
Courant de queue minimisé
Distribution de paramètres serrée

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