Références fabricant

IGBT STMicroelectronics, canal N, 30 A, 600 V, 1 MHz, 3 broches , TO-247, montage Traversant

Code commande RS:: 168-7003
Référence fabricant:: STGW30V60F
Marque:: STMicroelectronics

IGBT STMicroelectronics, canal N, 30 A, 600 V, 1 MHz, 3 broches , TO-247, montage Traversant

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Sous-total (30 unités, dans un tube de 30)*

62,49 €

75,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Dernier stock RS

360 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	le tube*
30 - 120	2,083 €	62,49 €
150 - 270	2,044 €	61,32 €
300 +	2,018 €	60,54 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 168-7003
Référence fabricant:: STGW30V60F
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de produit	IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc	30A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	600V
	Dissipation de puissance maximum Pd	260W
	Type de Boitier	TO-247
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	1MHz
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	2.3V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Série	V
	Normes/homologations	RoHS
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de produit IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc 30A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V
	Dissipation de puissance maximum Pd 260W
	Type de Boitier TO-247
	Type de montage Traversant
	Type de canal N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 1MHz
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.3V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Série V
	Normes/homologations RoHS
	Standard automobile Non

600V, 30A Very High Speed Trench Gate Field-Stop IGBT Data Sheet

Pays d'origine :: CN

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics

IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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