IGBT STMicroelectronics, canal N, 10 A, 375 V, 8 μs, 3 broches , TO-263, montage En surface
- Code commande RS:
- 168-6461
- Référence fabricant:
- STGB10NB37LZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1000 unités, sur une bobine de 1000)*
1 371,00 €
HT
1 645,00 €
TTC
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 1,371 € | 1 371,00 € |
| 2000 + | 1,354 € | 1 354,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-6461
- Référence fabricant:
- STGB10NB37LZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 10A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 375V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 8μs | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 12 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.8V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Longueur | 28.9mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 10A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 375V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 8μs | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 12 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.8V | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Largeur 10.4mm | ||
Longueur 28.9mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Nos clients ont également consulté
- IGBT STMicroelectronics 10 A 8 μs TO-263, montage En surface
- IGBT STMicroelectronics 25 A 8.4 μs TO-263, montage En surface
- IGBT Littelfuse 20 A 6 μs TO-263, montage En surface
- IGBT STMicroelectronics 29 A 3.8 μs TO-220FP, montage Traversant
- IGBT STMicroelectronics 25 A 8.4 μs TO-252, montage En surface
- IGBT STMicroelectronics 50 A 1 MHz TO-263, montage En surface
- IGBT STMicroelectronics 20 A 1 MHz TO-263, montage En surface
- IGBT STMicroelectronics 30 A 1 MHz TO-263, montage En surface