IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 10 A, 375 V 8 μs, 3 broches, TO-263 Surface
- Code commande RS:
- 168-6461
- Référence fabricant:
- STGB10NB37LZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
1 414,00 €
HT
1 697,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 19 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,414 € | 1 414,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-6461
- Référence fabricant:
- STGB10NB37LZT4
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 10A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 375V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 8μs | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.8V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 12 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 28.9mm | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Largeur | 10.4 mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 10A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 375V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 8μs | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.8V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 12 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 28.9mm | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Largeur 10.4 mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.