IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 10 A, 375 V 8 μs, 3 broches, TO-263 Surface

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Code commande RS:
168-6461
Référence fabricant:
STGB10NB37LZT4
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Courant continu de Collecteur maximum lc

10A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

375V

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

Surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

8μs

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.8V

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

12 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

4.6mm

Longueur

28.9mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics


IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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