IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 29 A, 600 V 3.8 μs, 3 broches, TO-220FP Traversant
- Code commande RS:
- 168-8877
- Référence fabricant:
- STGF10NB60SD
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,213 € | 60,65 € |
| 100 - 200 | 1,181 € | 59,05 € |
| 250 + | 1,152 € | 57,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-8877
- Référence fabricant:
- STGF10NB60SD
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 29A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 80W | |
| Type de Boitier | TO-220FP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 3.8μs | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.75V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 4.6 mm | |
| Série | Low Drop | |
| Longueur | 30.6mm | |
| Hauteur | 10.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Energie | 8mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 29A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 80W | ||
Type de Boitier TO-220FP | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 3.8μs | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.75V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 4.6 mm | ||
Série Low Drop | ||
Longueur 30.6mm | ||
Hauteur 10.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Energie 8mJ | ||
- Pays d'origine :
- CN
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.