Références fabricant

IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 29 A, 600 V 3.8 μs, 3 broches, TO-220FP Traversant

Code commande RS:: 877-2873
Référence fabricant:: STGF10NB60SD
Marque:: STMicroelectronics

IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 29 A, 600 V 3.8 μs, 3 broches, TO-220FP Traversant

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

11,58 €

13,90 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

70 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 juin 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 40	1,158 €	11,58 €
50 - 90	1,144 €	11,44 €
100 - 240	1,129 €	11,29 €
250 - 490	1,116 €	11,16 €
500 +	1,103 €	11,03 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 877-2873
Référence fabricant:: STGF10NB60SD
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Courant continu de Collecteur maximum lc	29A
	Type de produit	IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	600V
	Dissipation de puissance maximum Pd	80W
	Type de Boitier	TO-220FP
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	Type N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	3.8μs
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	1.75V
	Température minimum de fonctionnement	-55°C
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Hauteur	10.4mm
	Normes/homologations	RoHS
	Longueur	30.6mm
	Série	Low Drop
	Energie	8mJ
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Courant continu de Collecteur maximum lc 29A
	Type de produit IGBT
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V
	Dissipation de puissance maximum Pd 80W
	Type de Boitier TO-220FP
	Type de montage Traversant
	Type de canal Type N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 3.8μs
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±20 V
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.75V
	Température minimum de fonctionnement -55°C
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Hauteur 10.4mm
	Normes/homologations RoHS
	Longueur 30.6mm
	Série Low Drop
	Energie 8mJ
	Standard automobile Non

STGF10NB60SD, STGP10NB60SD, 16A, 600V, Low Drop IGBT with Soft and Fast Recovery Diode

Pays d'origine :: CN

Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics

IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.