IGBT Non STMicroelectronicsCanal-Type N, 7 A, 600 V 1 MHz, 3 broches, TO-220FP Traversant
- Code commande RS:
- 168-6466
- Référence fabricant:
- STGF7NB60SL
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
62,65 €
HT
75,20 €
TTC
Ajouter 50 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- Plus 250 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,253 € | 62,65 € |
| 100 - 200 | 1,22 € | 61,00 € |
| 250 - 450 | 1,189 € | 59,45 € |
| 500 + | 1,159 € | 57,95 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-6466
- Référence fabricant:
- STGF7NB60SL
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 7A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 25W | |
| Type de Boitier | TO-220FP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Vitesse de découpage | 1MHz | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.4mm | |
| Hauteur | 16.4mm | |
| Largeur | 4.6 mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Série | Powermesh | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 7A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 25W | ||
Type de Boitier TO-220FP | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Vitesse de découpage 1MHz | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.4mm | ||
Hauteur 16.4mm | ||
Largeur 4.6 mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Série Powermesh | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistors bipolaires à portée isolée (IGBT), STMicroelectronics
IGBT Discretes et modules, STMicroelectronics
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.