IGBT, ISL9V3040P3, , 21 A, 450 V, TO-220AB, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 166-2175
- Référence fabricant:
- ISL9V3040P3
- Marque:
- Fairchild Semiconductor
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Sous-total (1 tube de 50 unités)*
118,60 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,372 € | 118,60 € |
| 100 - 450 | 1,945 € | 97,25 € |
| 500 - 950 | 1,639 € | 81,95 € |
| 1000 - 2450 | 1,491 € | 74,55 € |
| 2500 + | 1,454 € | 72,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-2175
- Référence fabricant:
- ISL9V3040P3
- Marque:
- Fairchild Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Fairchild Semiconductor | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 21 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 450 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±14V | |
| Dissipation de puissance maximum | 150 W | |
| Type de boîtier | TO-220AB | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 10.67 x 4.7 x 16.3mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Fairchild Semiconductor | ||
Courant continu de Collecteur maximum 21 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 450 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±14V | ||
Dissipation de puissance maximum 150 W | ||
Type de boîtier TO-220AB | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 10.67 x 4.7 x 16.3mm | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.