IGBT AEC-Q101 Fairchild SemiconductorCanal-Type N, 21 A, 430 V 15 μs, 3 broches, JEDEC TO-220AB Traversant

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presentation
IGBT, NGTG15N60S1EG, , 30 A, 600 V, A-220, 4 broches
Code commande RS
769-5810

l'unité (par multiple de 2)

1,365 €

HT

1,638 €

TTC

Code commande RS:
862-9359
Référence fabricant:
ISL9V3040P3
Marque:
Fairchild Semiconductor
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Marque

Fairchild Semiconductor

Courant continu de Collecteur maximum lc

21A

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

430V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Type de Boitier

JEDEC TO-220AB

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

15μs

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.6V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±10 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

EcoSPARK

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Energie

300mJ

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor


Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

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