IGBT AEC-Q101 Fairchild SemiconductorCanal-Type N, 21 A, 430 V 15 μs, 3 broches, JEDEC TO-220AB Traversant

Voir l’ensemble des IGBT
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau en stock, il n'est plus vendu par le fabricant.
Options de conditionnement :

Proposition de remplacement

Ce produit n'est pas disponible actuellement. Voici notre produit de remplacement:

presentation
IGBT, NGTG15N60S1EG, , 30 A, 600 V, A-220, 4 broches
Code commande RS
769-5810

l'unité (par multiple de 2)

1,365 €

HT

1,638 €

TTC

Code commande RS:
862-9359
Référence fabricant:
ISL9V3040P3
Marque:
Fairchild Semiconductor
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Fairchild Semiconductor

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

21A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

430V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Type de Boitier

JEDEC TO-220AB

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Vitesse de découpage

15μs

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±10 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.6V

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

EcoSPARK

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Energie

300mJ

IGBT discrets, Fairchild Semiconductor


Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor


Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Nos clients ont également consulté