IGBT Fairchild Semiconductor, canal N, 46 A, 390 V, 3 broches , TO-263, montage En surface
- Code commande RS:
- 166-2051
- Référence fabricant:
- ISL9V5036S3ST
- Marque:
- Fairchild Semiconductor
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
1 756,80 €
HT
2 108,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,196 € | 1 756,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-2051
- Référence fabricant:
- ISL9V5036S3ST
- Marque:
- Fairchild Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Fairchild Semiconductor | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 46A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 390V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±10 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Série | EcoSPARK | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Energie | 500mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Fairchild Semiconductor | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 46A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 390V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±10 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Série EcoSPARK | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Energie 500mJ | ||
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
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