IGBT, ISL9V5036S3ST, , 46 A, 420 V, D2PAK (TO-263), 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 166-2051
- Référence fabricant:
- ISL9V5036S3ST
- Marque:
- Fairchild Semiconductor
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
1 756,80 €
HT
2 108,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,196 € | 1 756,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-2051
- Référence fabricant:
- ISL9V5036S3ST
- Marque:
- Fairchild Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Fairchild Semiconductor | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 46 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 420 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±14V | |
| Dissipation de puissance maximum | 250 W | |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) | |
| Type de montage | CMS | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C | |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Fairchild Semiconductor | ||
Courant continu de Collecteur maximum 46 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 420 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±14V | ||
Dissipation de puissance maximum 250 W | ||
Type de boîtier D2PAK (TO-263) | ||
Type de montage CMS | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Dimensions 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
Température de fonctionnement minimum -40 °C | ||
Température d'utilisation maximum +175 °C | ||
IGBT discrets, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.