Module transistor IGBT, IMBG120R350M1HXTMA1, , PG-TO263-7

Code commande RS:: 258-3757
Référence fabricant:: IMBG120R350M1HXTMA1
Marque:: Infineon

Module transistor IGBT, IMBG120R350M1HXTMA1, , PG-TO263-7

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Code commande RS:: 258-3757
Référence fabricant:: IMBG120R350M1HXTMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

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	Marque	Infineon
	Type de boîtier	PG-TO263-7

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Marque

Infineon

Type de boîtier

PG-TO263-7

Datasheet - IMBG120R350M1HXTMA1

Le transistor MOSFET SiC Infineon CoolSiC1200 V de 350 mΩ dans un boîtier D2PAK-7L est construit sur un procédé de semi-conducteur en tranchée de pointe optimisé pour combiner performances et fiabilité en fonctionnement. Les faibles pertes de puissance de la technologie CoolSiC, combinées à la technologie d'interconnexion XT dans un nouveau boîtier CMS optimisé 1 200 V, permettent un rendement optimal et un potentiel de refroidissement passif dans des applications telles que les variateurs, les chargeurs et les alimentations industrielles.

Très faibles pertes de commutation
Temps de résistance aux courts-circuits, 3 μs
dV/dt entièrement contrôlable
Amélioration du rendement
Permettant une fréquence plus élevée
Densité de puissance accrue

Module transistor IGBT, IMBG120R350M1HXTMA1, , PG-TO263-7

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