IGBT, IKB10N60TATMA1, , 30 A, 600 V, TO-263-3
- Code commande RS:
- 258-7063
- Référence fabricant:
- IKB10N60TATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
615,00 €
HT
738,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,615 € | 615,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-7063
- Référence fabricant:
- IKB10N60TATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 30 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 600 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 20V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 110 W | |
| Type de boîtier | TO-263-3 | |
| Configuration | Collecteur simple, émetteur simple, porte simple | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 30 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 20V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 110 W | ||
Type de boîtier TO-263-3 | ||
Configuration Collecteur simple, émetteur simple, porte simple | ||
IGBT discret d'Infineon avec diode anti-parallèle dans un boîtier TO-263. Il offre une amélioration significative des performances statiques et dynamiques du dispositif, grâce à la combinaison de la cellule en tranchée et du concept Field Stop. Il est également doté de faibles pertes de conduction et de commutation.
Chute de VCEsat la plus faible pour moins des pertes de conduction
Capacité de commutation parallèle facile grâce au coefficient de température positif dans VCEsat
Diode contrôlée par émetteur antiparallèle très souple et de récupération rapide
Haute robustesse, comportement stable à la température
Faible charge de grille