Module IGBT Non Infineon, 4.7 A, TO-263

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Code commande RS:
258-3756
Référence fabricant:
IMBG120R350M1HXTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Module IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

4.7A

Dissipation de puissance maximum Pd

65W

Type de Boitier

TO-263

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

JEDEC47/20/22

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET SiC Infineon CoolSiC1200 V de 350 mΩ dans un boîtier D2PAK-7L est construit sur un procédé de semi-conducteur en tranchée de pointe optimisé pour combiner performances et fiabilité en fonctionnement. Les faibles pertes de puissance de la technologie CoolSiC, combinées à la technologie d'interconnexion XT dans un nouveau boîtier CMS optimisé 1 200 V, permettent un rendement optimal et un potentiel de refroidissement passif dans des applications telles que les variateurs, les chargeurs et les alimentations industrielles.

Très faibles pertes de commutation

Temps de résistance aux courts-circuits, 3 μs

dV/dt entièrement contrôlable

Amélioration du rendement

Permettant une fréquence plus élevée

Densité de puissance accrue

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