Circuits intégrés à transistor simple IGBT Non InfineonCanal-Type N, 26 A, 600 V, 3 broches, TO-263 Surface
- Code commande RS:
- 215-6627
- Référence fabricant:
- IGB15N60TATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
561,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,561 € | 561,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-6627
- Référence fabricant:
- IGB15N60TATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 26A | |
| Type de produit | Circuits intégrés à transistor simple IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 600V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 130W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 20 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.5V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | JEDEC1 | |
| Série | TRENCHSTOPTM | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 26A | ||
Type de produit Circuits intégrés à transistor simple IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 600V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 130W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.5V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations JEDEC1 | ||
Série TRENCHSTOPTM | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor bipolaire à grille isolée à faible perte Infineon avec technologie d'arrêt de champ.
Haut rendement
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique
