Circuits intégrés à transistor simple IGBT Infineon, canal N, 40 A, 1350 V, 3 broches , TO-247, montage Traversant

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Code commande RS:
215-6635
Référence fabricant:
IHW20N135R5XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Circuits intégrés à transistor simple IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

40A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

1350V

Dissipation de puissance maximum Pd

310W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±25 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.85V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

42mm

Série

Resonant Switching

Largeur

16.13mm

Normes/homologations

IEC61249-2-21, RoHS

Hauteur

5.21mm

Standard automobile

Non

Circuit intégré à transistor simple IGBT à commutation résonnante Infineon, tension d'émetteur de collecteur max. 1 350 V, courant de collecteur continu max. 40 A - IHW20N135R5XKSA1


Ce circuit intégré à transistor unique IGBT est un dispositif de commutation haute tension conçu pour les environnements de conversion de puissance où des performances de collecteur-émetteur robustes sont requises. Il fonctionne sur une plage de températures étendue adaptée aux conditions thermiques exigeantes et est fourni dans un boîtier TO-247 à trou traversant pour le montage sur carte conventionnel. Le dispositif cible les applications de commutation résonnante nécessitant une gestion de courant continue substantielle et une faible saturation pendant la conduction.

Caractéristiques et avantages :


• La valeur nominale collecteur-émetteur de 1350 V permet un fonctionnement à haute tension
• Le courant de collecteur continu de 40 A prend en charge les courants de charge lourde
• Le VCE(sat) de 1,85 V réduit les pertes de conduction sous charge
• La tolérance de l'émetteur de grille ±25 V permet des tensions d'entraînement étendues
• La dissipation de puissance de 310 W permet une commutation haute puissance
• La plage de fonctionnement de -40 à 175 °C résiste aux températures extrêmes

Applications


• Convient aux convertisseurs résonnants dans les alimentations
• Idéal pour les étages d'inverseur d'entraînement de moteur industriel
• Utilisé avec les alimentations à découpage haute tension
• Peut être utilisé pour les modules de conversion d'alimentation de classe utilitaire
• Convient aux topologies de convertisseurs c.c.-c.c. haute puissance

Quelle approche de montage ce dispositif nécessite-t-il?


Il est fourni dans un boîtier TO-247 à trous traversants destiné au montage sur carte soudée et au dissipateur thermique à travers la languette de l'emballage.

Comment le transistor gère-t-il la chaleur en fonctionnement continu?


La puissance nominale maximale de dissipation de 310 W définit la charge thermique qu'il peut supporter lorsqu'il est installé sur un chemin thermique approprié tel qu'un dissipateur thermique et un flux d'air correct.

Quelles sont les contraintes d'entraînement de grille à respecter?


La tension de l'émetteur-gate doit être maintenue à ±25 V pour éviter les contraintes d'isolation de la grille et garantir une commutation fiable.

Y a-t-il des restrictions matérielles ou réglementaires en matière de conception?


Le dispositif est conforme aux exigences RoHS et est fabriqué en utilisant des matériaux conformes aux normes CEI 61249-2-21 pour certaines compositions de substrats.

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