IGBT, IKB40N65EF5ATMA1, , 74 A, 650 V, PG-TO263-3, 3 broches
- Code commande RS:
- 215-6649
- Référence fabricant:
- IKB40N65EF5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
1 517,00 €
HT
1 820,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,517 € | 1 517,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-6649
- Référence fabricant:
- IKB40N65EF5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 74 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20 V, ±30 V | |
| Dissipation de puissance maximum | 250 W | |
| Type de boîtier | PG-TO263-3 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 74 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20 V, ±30 V | ||
Dissipation de puissance maximum 250 W | ||
Type de boîtier PG-TO263-3 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Transistor bipolaire à grille isolée à commutation rapide et haute vitesse Infineon avec courant nominal total Rapid 1 diode antiparallèle rapide et souple.
Haut rendement
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique