Circuits intégrés à transistor simple IGBT Infineon, canal Type N, 74 A, 650 V, 3 broches , TO-263, montage En surface
- Code commande RS:
- 215-6649
- Référence fabricant:
- IKB40N65EF5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
1 517,00 €
HT
1 820,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,517 € | 1 517,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-6649
- Référence fabricant:
- IKB40N65EF5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Circuits intégrés à transistor simple IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 74A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±30 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | High Speed Fifth Generation | |
| Normes/homologations | JEDEC47/20/22 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Circuits intégrés à transistor simple IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 74A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±30 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série High Speed Fifth Generation | ||
Normes/homologations JEDEC47/20/22 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor bipolaire à grille isolée à commutation rapide et haute vitesse Infineon avec courant nominal total Rapid 1 diode antiparallèle rapide et souple.
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