Circuits intégrés à transistor simple IGBT Non InfineonCanal-Type N, 79 A, 650 V, 3 broches, TO-263 Surface
- Code commande RS:
- 215-6655
- Référence fabricant:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,54 € | 7,08 € |
| 20 - 48 | 3,01 € | 6,02 € |
| 50 - 98 | 2,83 € | 5,66 € |
| 100 - 198 | 2,62 € | 5,24 € |
| 200 + | 2,44 € | 4,88 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-6655
- Référence fabricant:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | Circuits intégrés à transistor simple IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 79A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 230W | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.35V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±30 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | High Speed Fifth Generation | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit Circuits intégrés à transistor simple IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 79A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 230W | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage Surface | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.35V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±30 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série High Speed Fifth Generation | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor bipolaire à grille isolée de cinquième génération de la série de commutation haute vitesse Infineon.
Haut rendement
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique