Circuits intégrés à transistor simple IGBT Infineon, canal Type N, 79 A, 650 V, 3 broches , TO-263, montage En surface

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

7,08 €

HT

8,50 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 4 254 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 183,54 €7,08 €
20 - 483,01 €6,02 €
50 - 982,83 €5,66 €
100 - 1982,62 €5,24 €
200 +2,44 €4,88 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
215-6655
Référence fabricant:
IKB40N65ES5ATMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

Circuits intégrés à transistor simple IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

79A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Type de Boitier

TO-263

Type de montage

En surface

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

±30 V

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.35V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Série

High Speed Fifth Generation

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Transistor bipolaire à grille isolée de cinquième génération de la série de commutation haute vitesse Infineon.

Haut rendement

Faibles pertes de commutation

Plus grande fiabilité

Faible interférence électromagnétique

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.