IGBT Non InfineonCanal-Type N, 90 A, 650 V, 3 broches, TO-247 Traversant
- Code commande RS:
- 215-6675
- Référence fabricant:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 5,485 € | 10,97 € |
| 10 - 18 | 4,985 € | 9,97 € |
| 20 - 48 | 4,655 € | 9,31 € |
| 50 - 98 | 4,33 € | 8,66 € |
| 100 + | 4,00 € | 8,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-6675
- Référence fabricant:
- IKW75N65EH5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | IGBT | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 90A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 395W | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | ±30 V | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.65V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Série | High Speed Fifth Generation | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Longueur | 41.42mm | |
| Largeur | 16.13 mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit IGBT | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 90A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 395W | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO ±30 V | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.65V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Série High Speed Fifth Generation | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Longueur 41.42mm | ||
Largeur 16.13 mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor bipolaire à grille isolée Infineon avec technologie H5 haute vitesse.
Haut rendement
Faibles pertes de commutation
Plus grande fiabilité
Faible interférence électromagnétique