IGBT Non InfineonCanal-Type N, 75 A, 650 V, 3 broches, TO-247 Traversant 1

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

22,02 €

HT

26,425 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 90 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 54,404 €22,02 €
10 - 203,83 €19,15 €
25 - 453,566 €17,83 €
50 - 1203,302 €16,51 €
125 +3,084 €15,42 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
218-4392
Référence fabricant:
IGW75N65H5XKSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

IGBT

Courant continu de Collecteur maximum lc

75A

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Nombre de transistors

1

Dissipation de puissance maximum Pd

198W

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Type de canal

Type N

Nombre de broches

3

Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum

1.65V

Température minimum de fonctionnement

-40°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

20 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

JEDEC, RoHS

Longueur

21.1mm

Hauteur

5.21mm

Largeur

16.13 mm

Série

IGW75N65H5

Standard automobile

Non

La technologie IGBT5 Infineon TrenchStop redéfinit les IGBT de la meilleure classe, ce qui entraîne une faible température de jonction et de boîtier, ce qui permet une plus grande fiabilité du dispositif en fournissant des performances inégalées en termes d'efficacité pour les applications de commutation difficiles. Il est doté d'une tension d'émetteur de collecteur de 650 V et d'un courant de collecteur de 120 A.

Conception à densité de puissance plus élevée

Augmentation de 50 V de la tension de bus possible sans compromettre la fiabilité

Coefficient de température positif doux

Nos clients ont également consulté