IGBT, IHW30N160R5XKSA1, , 30 A, 1600 V, A-247, 3 broches, Simple

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50 - 1203,634 €18,17 €
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Options de conditionnement :
Code commande RS:
218-4399
Référence fabricant:
IHW30N160R5XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Courant continu de Collecteur maximum

30 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

1600 V

Tension Grille Emetteur maximum

20V

Dissipation de puissance maximum

263 W

Nombre de transistors

1

Type de boîtier

A-247

Type de canal

N

Nombre de broches

3

Configuration du transistor

Simple

Dimensions

16.3 x 21.5 x 5.3mm

Température d'utilisation maximum

+175 °C

Température de fonctionnement minimum

-40 °C

Capacité de grille

1500pF

Infineon IGBT, 30A Maximum Continuous Collector Current, 1600V Maximum Collector Emitter Voltage - IHW30N160R5XKSA1


Cet IGBT est un dispositif semi-conducteur robuste conçu pour les applications à haute tension, avec un courant collecteur maximum de 30A et fonctionnant dans une plage de température de -40°C à +175°C. Le boîtier TO-247 assure une installation pratique, tandis que ses dimensions de 16,3 x 21,5 x 5,3 mm constituent une solution compacte pour divers besoins électroniques.

Caractéristiques et avantages


• Capacité de conduction inverse pour des performances accrues
• La diode à corps monolithique réduit la perte de tension directe
• La distribution serrée des paramètres améliore la fiabilité
• Une grande robustesse améliore la durabilité dans des conditions exigeantes
• Les faibles émissions EMI garantissent un minimum d'interférences dans les circuits

Applications


• Utilisé pour la cuisson par induction
• Convient aux circuits des fours à micro-ondes
• Idéal pour les commutations à haute tension
• Compatible avec les modules d'alimentation à semi-conducteurs spécialisés

Quelles sont les principales caractéristiques thermiques de cet appareil ?


La résistance thermique entre la jonction et l'environnement est de 40 K/W, et la résistance thermique entre la jonction et le boîtier est de 0,57 K/W, ce qui garantit une gestion efficace de la chaleur dans des conditions de charge.

Comment ce module IGBT gère-t-il les applications haute tension ?


Il présente une tension nominale collecteur-émetteur allant jusqu'à 1600V, ce qui le rend adapté aux environnements à haute tension tout en maintenant un fonctionnement sûr dans les limites spécifiées.

Quelles sont les implications de la dissipation maximale de puissance pour la conception ?


Avec une dissipation maximale de 263 W, il permet une gestion efficace de l'énergie, garantissant que l'appareil peut fonctionner efficacement sans surcharge thermique dans les applications typiques.

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