IGBT, FF900R12ME7B11BOSA1, , 900 A, 1200 V, AG-ECONOD, Emetteur commun
- Code commande RS:
- 222-4798
- Référence fabricant:
- FF900R12ME7B11BOSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
270,23 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 270,23 € |
| 2 - 2 | 256,72 € |
| 3 + | 245,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4798
- Référence fabricant:
- FF900R12ME7B11BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 900 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 20 mW | |
| Configuration | Double | |
| Type de boîtier | AG-ECONOD | |
| Type de canal | N | |
| Configuration du transistor | Emetteur commun | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 900 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 20V | ||
Dissipation de puissance maximum 20 mW | ||
Configuration Double | ||
Type de boîtier AG-ECONOD | ||
Type de canal N | ||
Configuration du transistor Emetteur commun | ||
Module IGBT7 TrenchStop TM double Infineon EconoDUAL TM 3 1 200 V, 900 A avec diode 7 contrôlée par émetteur, CTN et technologie de contact de pressage. Egalement disponible avec matériau d'interface thermique préappliqué.
Densité de puissance la plus élevée
Meilleur sat VCE de classe
TVJ op = surcharge de 175 °C.
Bornes améliorées
Distance de fuite optimisée pour les applications PV de 1 500 V.
Meilleur sat VCE de classe
TVJ op = surcharge de 175 °C.
Bornes améliorées
Distance de fuite optimisée pour les applications PV de 1 500 V.