IGBT Non InfineonCanal-Type N, 74 A, 650 V, 3 broches, TO-220 Traversant
- Code commande RS:
- 226-6106
- Référence fabricant:
- IKP40N65F5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
81,00 €
HT
97,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,62 € | 81,00 € |
| 100 - 200 | 1,458 € | 72,90 € |
| 250 + | 1,377 € | 68,85 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 226-6106
- Référence fabricant:
- IKP40N65F5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 74A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 255W | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | Type N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 30 V | |
| Température minimum de fonctionnement | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Série | High Speed Fifth Generation | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 74A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 255W | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal Type N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 30 V | ||
Température minimum de fonctionnement -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Série High Speed Fifth Generation | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon IKP40N65F5 est un IGBT à commutation rigide haute vitesse de 650 V qui a utilisé la technologie Rapid SI-diode. Il est doté d'une conception à densité de puissance plus élevée et d'un faible COES/EOSS.
Facteur 2,5 Qg inférieur
Facteur 2 de réduction des pertes de commutation
Réduction de 200 mV de VCEsat