IGBT, IKP40N65F5XKSA1, , 74 A, 650 V, PG-TO220, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 226-6107
- Référence fabricant:
- IKP40N65F5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 226-6107
- Référence fabricant:
- IKP40N65F5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 74 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 30V | |
| Nombre de transistors | 1 | |
| Dissipation de puissance maximum | 255 W | |
| Configuration | Simple | |
| Type de boîtier | PG-TO220 | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum 74 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 30V | ||
Nombre de transistors 1 | ||
Dissipation de puissance maximum 255 W | ||
Configuration Simple | ||
Type de boîtier PG-TO220 | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Infineon IKP40N65F5 est un IGBT à commutation rigide haute vitesse de 650 V qui a utilisé la technologie Rapid SI-diode. Il est doté d'une conception à densité de puissance plus élevée et d'un faible COES/EOSS.
Facteur 2,5 Qg inférieur
Facteur 2 de réduction des pertes de commutation
Réduction de 200 mV de VCEsat
Facteur 2 de réduction des pertes de commutation
Réduction de 200 mV de VCEsat