IGBT Infineon, canal N, 74 A, 650 V, 3 broches , TO-220, montage Traversant
- Code commande RS:
- 226-6107
- Référence fabricant:
- IKP40N65F5XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,086 € | 10,43 € |
| 25 - 45 | 1,876 € | 9,38 € |
| 50 - 120 | 1,752 € | 8,76 € |
| 125 - 245 | 1,628 € | 8,14 € |
| 250 + | 1,502 € | 7,51 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 226-6107
- Référence fabricant:
- IKP40N65F5XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Courant continu de Collecteur maximum lc | 74A | |
| Type de produit | IGBT | |
| Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo | 650V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 255W | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de canal | N | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 1.6V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO | 30 V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | JEDEC | |
| Série | High Speed Fifth Generation | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Courant continu de Collecteur maximum lc 74A | ||
Type de produit IGBT | ||
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 650V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 255W | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de canal N | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 1.6V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 30 V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations JEDEC | ||
Série High Speed Fifth Generation | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon IKP40N65F5 est un IGBT à commutation rigide haute vitesse de 650 V qui a utilisé la technologie Rapid SI-diode. Il est doté d'une conception à densité de puissance plus élevée et d'un faible COES/EOSS.
Facteur 2,5 Qg inférieur
Facteur 2 de réduction des pertes de commutation
Réduction de 200 mV de VCEsat
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