IGBT, STGYA75H120DF2, , 150 A, 1200 V, Max247, 3 broches
- Code commande RS:
- 234-8894
- Référence fabricant:
- STGYA75H120DF2
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 7,91 € |
| 5 - 9 | 7,51 € |
| 10 - 24 | 6,76 € |
| 25 - 49 | 6,31 € |
| 50 + | 6,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 234-8894
- Référence fabricant:
- STGYA75H120DF2
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 150 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V | |
| Dissipation de puissance maximum | 750 W | |
| Type de boîtier | Max247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Courant continu de Collecteur maximum 150 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 1200 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum ±20V | ||
Dissipation de puissance maximum 750 W | ||
Type de boîtier Max247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Le STMicroelectronics IGBT a été développé grâce à une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ de type tranchée. Ce dispositif fait partie de la série H des IGBT qui représentent un compromis parfait entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité des convertisseurs à haute fréquence de commutation. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution étroite de paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.
Température de jonction maximale TJ = 175 °C
5 μs de résistance aux courts-circuits
VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 75 A
Distribution étroite des paramètres
Coefficient de température VCE(sat) positif
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle à récupération ultra rapide
5 μs de résistance aux courts-circuits
VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 75 A
Distribution étroite des paramètres
Coefficient de température VCE(sat) positif
Faible résistance thermique
Diode antiparallèle à récupération ultra rapide