Références fabricant

IGBT STMicroelectronics, canal N, 150 A, 1.2 kV, 1 MHz, 3 broches , Max247, montage Traversant

Code commande RS:: 234-8894
Référence fabricant:: STGYA75H120DF2
Marque:: STMicroelectronics

IGBT STMicroelectronics, canal N, 150 A, 1.2 kV, 1 MHz, 3 broches , Max247, montage Traversant

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Code commande RS:: 234-8894
Référence fabricant:: STGYA75H120DF2
Marque:: STMicroelectronics

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Type de produit	IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc	150A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo	1.2kV
	Dissipation de puissance maximum Pd	750W
	Type de Boitier	Max247
	Type de montage	Traversant
	Type de canal	N
	Nombre de broches	3
	Vitesse de découpage	1MHz
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum	2.6V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO	20 V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Type de produit IGBT
	Courant continu de Collecteur maximum lc 150A
	Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo 1.2kV
	Dissipation de puissance maximum Pd 750W
	Type de Boitier Max247
	Type de montage Traversant
	Type de canal N
	Nombre de broches 3
	Vitesse de découpage 1MHz
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 2.6V
	Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO 20 V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Datasheet - STGYA75H120DF2

Le STMicroelectronics IGBT a été développé grâce à une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ de type tranchée. Ce dispositif fait partie de la série H des IGBT qui représentent un compromis parfait entre les pertes de conduction et de commutation pour maximiser l'efficacité des convertisseurs à haute fréquence de commutation. En outre, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution étroite de paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr.

Température de jonction maximale TJ = 175 °C

5 μs de résistance aux courts-circuits

VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 75 A

Distribution étroite des paramètres

Coefficient de température VCE(sat) positif

Faible résistance thermique

Diode antiparallèle à récupération ultra rapide

IGBT STMicroelectronics, canal N, 150 A, 1.2 kV, 1 MHz, 3 broches , Max247, montage Traversant

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