IGBT, FGH4L50T65SQD, , 200 A, 650 V, TO-247-4LD
- Code commande RS:
- 241-0725
- Référence fabricant:
- FGH4L50T65SQD
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 241-0725
- Référence fabricant:
- FGH4L50T65SQD
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Courant continu de Collecteur maximum | 200 A | |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V | |
| Tension Grille Emetteur maximum | 15V | |
| Nombre de transistors | 30 | |
| Dissipation de puissance maximum | 268 W | |
| Type de boîtier | TO-247-4LD | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Courant continu de Collecteur maximum 200 A | ||
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V | ||
Tension Grille Emetteur maximum 15V | ||
Nombre de transistors 30 | ||
Dissipation de puissance maximum 268 W | ||
Type de boîtier TO-247-4LD | ||
L'IGBT à haute vitesse 650 V, 80 A FS4 de ON Semiconductor. Cela offre des performances optimales en équilibrant les pertes Vce(sat) et Eoff et en dépassement Vce d'arrêt contrôlable. Bien adapté pour les inverseurs solaires, les onduleurs, les stations de charge EV, les ESS et autres applications de conversion de puissance haute performance.
Coefficient de température positif
Fonctionnement facile en parallèle
Pertes de commutation faibles
Fonctionnement facile en parallèle
Pertes de commutation faibles