IGBT Non onsemi, 650 V, 4 broches, TO-247-4LD Surface

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 tube de 450 unités)*

1 058,85 €

HT

1 270,80 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
le tube*
450 - 4502,353 €1 058,85 €
900 - 9002,11 €949,50 €
1350 +2,059 €926,55 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
241-0725
Référence fabricant:
FGH4L50T65SQD
Marque:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

268W

Type de Boitier

TO-247-4LD

Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

15 V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

5.2mm

Série

FGH4L50T65SQD

Normes/homologations

RoHS

Largeur

22.74 mm

Longueur

15.8mm

Standard automobile

Non

L'IGBT à haute vitesse 650 V, 80 A FS4 de ON Semiconductor. Cela offre des performances optimales en équilibrant les pertes Vce(sat) et Eoff et en dépassement Vce d'arrêt contrôlable. Bien adapté pour les inverseurs solaires, les onduleurs, les stations de charge EV, les ESS et autres applications de conversion de puissance haute performance.

Coefficient de température positif

Fonctionnement facile en parallèle

Pertes de commutation faibles

Nos clients ont également consulté