IGBT, FGH4L50T65SQD, , 80 A, 650 V, TO-247-4LD

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
241-0726
Référence fabricant:
FGH4L50T65SQD
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Courant continu de Collecteur maximum

80 A

Tension Collecteur Emetteur maximum

650 V

Tension Grille Emetteur maximum

15V

Dissipation de puissance maximum

268 W

Nombre de transistors

30

Type de boîtier

TO-247-4LD

L'IGBT à haute vitesse 650 V, 80 A FS4 de ON Semiconductor. Cela offre des performances optimales en équilibrant les pertes Vce(sat) et Eoff et en dépassement Vce d'arrêt contrôlable. Bien adapté pour les inverseurs solaires, les onduleurs, les stations de charge EV, les ESS et autres applications de conversion de puissance haute performance.

Coefficient de température positif
Fonctionnement facile en parallèle
Pertes de commutation faibles

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