IGBT Non onsemi, 650 V, 4 broches, TO-247-4LD Surface

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
241-0726
Référence fabricant:
FGH4L50T65SQD
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

IGBT

Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo

650V

Dissipation de puissance maximum Pd

268W

Type de Boitier

TO-247-4LD

Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Tension maximale de l'émetteur de grille VGEO

15 V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

15.8mm

Hauteur

5.2mm

Normes/homologations

RoHS

Série

FGH4L50T65SQD

Largeur

22.74 mm

Standard automobile

Non

L'IGBT à haute vitesse 650 V, 80 A FS4 de ON Semiconductor. Cela offre des performances optimales en équilibrant les pertes Vce(sat) et Eoff et en dépassement Vce d'arrêt contrôlable. Bien adapté pour les inverseurs solaires, les onduleurs, les stations de charge EV, les ESS et autres applications de conversion de puissance haute performance.

Coefficient de température positif

Fonctionnement facile en parallèle

Pertes de commutation faibles

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